Intel dará respuesta a las 3D V NAND de Samsung y en colaboración con Micron, está desarrollando SSD de 10 TB de capacidad de almacenamiento.
Tanto las soluciones de Intel y Micron como las de Samsung, pretenden superar el límite de densidad que actualmente enfrenta la arquitectura NAND plana utilizada en la memoria flash convencional, produciendo mejoras en la velocidad, resistencia y eficiencia energética.
Intel apostará por una solución similar a la de Samsung, en un formato de chips denominado 3D NAND. Técnicamente, las 3D NAND de Intel permitirán apilar 32 capas para conseguir chips de 256 Gb (32 GB) de capacidad de almacenamiento en un único encapsulado MLC. La cifra sube hasta los 384 Gb (48 GB) por encapsulado TLC (triple-bit-per-cell).
Además de capacidad, las nuevas SSD también serán más económicas, logrando reducir el precio por GB, quizá el único aspecto donde todavía los discos duros son superiores.
